詳細介紹
microMIRA 激光剝離（LLO）系統可在高速加工條件下，實現晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機械應力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍寶石襯底與其相似的晶體結構進行外延生長，因此大多數GaN基MicroLED都生長在藍寶石上。然而，從藍寶石這類透明且昂貴的材料上進行剝離是一項重大挑戰，只有激光技術才能在保證合理生產效率的前提下實現這一工藝。microMIRA 激光系統特別適用于MicroLED顯示制造及半導體制造中，從玻璃和藍寶石襯底上剝離GaN層。
亮點
•無應力且極速的線光束激光加工
•基于熱-機械效應，實現無損傷加工
•全自動系統
•生產成本低
•可集成相鄰制造工序，提升晶圓廠整體生產效率
| 將藍寶石晶圓上的氮化鎵（GaN）通過激光剝離（LLO）轉移至石英、藍寶石或其他材料上 | |
| 適用于 | •microLED •miniLED •垂直結構 LED •LED |
| 基板尺寸 | •晶圓尺寸達 8” (200 mm) |
| 激光源與光路系統 | ·采用準分子激光源，波長可根據客戶應用需求選擇（例如248 nm） •在樣品表面的線光束尺寸：205 mm × 0.33 mm（適用于8英寸晶圓） |
| 吞吐量 | •每小時可處理60片8英寸藍寶石基GaN晶圓（包含工藝及上下料時間，具體產能取決于系統配置和客戶工件） |
| 定位系統 | •精精度直驅Y軸和Z軸（可選配θ旋轉臺） •Y軸：定位精度 ±5 µm，重復定位精度 ±1.5 µm •Z軸：定位精度 ±3 µm，重復定位精度 ±1.5 µm |
| 對準 | •支持手動、半自動或全自動工件對準 •配備X、Y運動系統及光學測量系統 •自動Z軸定位與表面形貌測繪 |
| microMMI 軟件 | •控制并監控所有硬件組件及加工參數 •多級用戶權限（管理員、主管、操作員） •數據輸入文件格式：DXF、CSV、Gerber、CLI，其他格式可按需提供 |
| 選配項 | •光束分析與功率測量模塊 •解鍵合模塊 •質量檢測模塊 •清洗模塊 •最多支持4個SMIF載片端口 •其他輔助模塊可根據需求提供 |
| 標準 | •符合激光1類安全標準的防護外殼，集成控制面板 •配備認證激光觀察窗或全景攝像頭（網絡攝像頭） •潔凈室等級要求：上下料及正面區域 ISO 3，剝離工藝區及激光光路系統 ISO 5 •可選配主動式排風系統 |
| 系統尺寸 | 尺寸：6,500 mm × 5,700 mm × 2,200 mm（含上下料系統和激光源） |
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